華大半導體榮獲“2020年度硬核中國芯”兩項大獎!

日期:2020-11-04
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       11月3日,由芯師爺主辦、深福保集團冠名的“2020年度硬核中國芯領袖峰會暨評選頒獎盛典”圓滿落幕。在“2020年硬核中國芯”評選中,華大半導體憑借卓越的產品性能以及優異的市場表現,一舉斬獲“2020年度最佳國產MCU產品獎”和“2020年度最具影響力IC設計企業”兩項大獎。


2020年度最具影響力IC設計企業


2020年度最佳國產MCU產品獎 · HC32L136


關于華大半導體HC32L136

       1. 芯片基于ARM Cortex-M0+內核,采用多項超低功耗設計技術,集成12bit 1Msps 逐次逼近型SAR ADC、LCD驅動、運算放大器OPA以及多路UART、SPI、I2C等豐富的通訊外設,能夠妥善處理功耗與資源之間的平衡,內建128位AES、TRNG硬件真隨機數產生器和Unique-ID唯一序列號等安全模塊,并支持1.8V~5.5V寬電壓工作范圍,具備高整合度、超低功耗、高可靠性特性。

 

       2. 芯片集成SAR ADC、LCD驅動、運算放大器OPA以及多路UART、SPI、I2C等豐富的通訊外設,具備高整合度、超低功耗、高可靠性等特性。芯片性價比高,可以有效節省系統BOM成本,在物聯網等對低功耗特性有強烈要求的應用里,價格優勢明顯。

 

       3. 產品創新點

       創新點一:基于超低溫漂技術的超低功耗電路設計理論和技術。依靠新型的超低功耗電源管理(PMU)技術、超低功耗帶隙基準源(LPBGR)技術和超低功耗低電壓檢測(LVD)技術,實現全芯片超低待機電流控制標志效果達到小于0.45μA。

 

       創新點二:異步設計和DLL降噪技術的高能效時鐘域設計理論和技術。依靠異步設計電路,優化時鐘架構,優化高頻時鐘產生電路,指令預存取技術,實現超高能量效率控制標志效果達到23.19CoreMark/mA以上。

 

       創新點三:自適應電壓平衡技術的高速啟動設計理論和技術。依靠超大范圍負載低壓差線性穩壓器(LDO)、高精度高啟動速度RC振蕩器(IRCOSC)、高精度低速IRCOSC等控制技術,實現超快喚醒時間控制標志效果達到小于3μS。

 

       創新點四:改進型密閉環技術的高可靠性電路設計理論和技術。芯片實現高可靠性創新:ESD人體放電模型達到±8KV,處于國際標準JEDEC JS-001分級中的最高等級Class 3B;EFT快速電脈沖群達到±4KV,處于國際標準IEC61000-4-4分級中最高等級Class 4。

 

       華大半導體自主研發低功耗系列產品,形成并申請知識產權82項,其中專利75項(已授權13項)、集成電路布圖登記7項(全部授權)。

 

       4. 應用方案

       (1)額溫槍應用方案

       (2)血氧儀應用方案

       (3)智能水表應用方案

       (4)ETC應用方案

       (5)溫控器應用方案

       (6)NB-IoT無線模塊應用方案

 

       5. 在國內工業數據采集、水氣表、ETC、額溫槍、血氧儀等市場取得較高份額,市占率已超過40%。尤其在2019年ETC不停車收費系統建設和2020年抗擊新冠肺炎疫情過程中,超過6500萬顆本項目產品被應用到ETC/OBU車載單元、額溫槍與血氧儀的生產中。在相關進口芯片供應短缺而生產需求又極為迫切的關鍵時刻,成功實現了進口替代,解決了智慧交通建設與防疫抗疫的重大技術保障問題。

 


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